[TSC]つくば半導体コンソーシアム

( D12 ) プローブ：光、分析対象：材料物性（光学特性）

分析手法	略号	分析原理	得られる情報	分析感度・スペック	適用例
エリプソメトリ法(Ellipsometry), 分光エリプソメトリ法(Spectroscopic Ellipsometry)	EM, SE	試料での光反射による偏光状態の変化から、p.s偏光の振幅比Ψおよび位相差Δを測定し、光学モデルを利用した解析から試料の膜厚や光学定数を評価する手法 He-Neレーザのような単色光源を用いる単波長エリプソメトリ法と、キセノンランプのような白色光源を用いる分光エリプソメトリ法がある	・試料構造(薄膜・多層膜の膜厚、表面ラフネス) ・光学定数(屈折率、消衰係数、光吸収係数、誘電関数) ・バンドギャップ・合金組成・相構造(結晶/非晶質) ・透明導電膜等のキャリア濃度、移動度、抵抗率	エリア：数百μmから数mmオーダー深さ：0.01nm～数μm(薄膜) 膜厚分解能：0.01nm	・半導体基板、薄膜、ゲート誘電体膜評価・ポリマー膜、自己組織化膜、タンパク質、DNA評価・TFT膜、透明導電膜、有機LED材料評価・誘電体多層膜評価・CD、DVD、磁気光学膜評価