( H10 ) プローブ:メカニカル・プローブ、分析対象:材料物性(電気特性)
分析手法 | 略号 | 分析原理 | 得られる情報 | 分析感度・スペック | 適用例 |
ナノプローバ (Nano Prober) |
NP | 半導体デバイスのコンタクトや配線等に直接プローブを接触させ電気特性を評価 |
・トランジスタの閾値電圧 ・Ion特性、Ioff特性や配線等の抵抗値など種々の電気特性 |
電流検出下限10fA プローブ数4本以上 測定温度:室温~150℃(測定器、環境により異なる) |
・SRAM等メモリ構成トランジスタの特性評価 ・Logic部の構成トランジスタの特性評価 ・配線、Via等の抵抗評価 ・CNT、磁性材料等の抵抗評価 |