( D4 ) プローブ:光、分析対象:欠陥(密度、準位)
分析手法 | 略号 | 分析原理 | 得られる情報 | 分析感度・スペック | 適用例 |
フォトルミネッセンス法 (Photoluminescence Spectroscopy) |
PL | 光によって励起された電子-正孔対が再結合するときの発光を分析 |
・バンドギャップ ・結晶中の元素組成比 ・結晶欠陥の種類 ・欠陥分布 ・再結合中心の準位 |
深さ:50nm~5μm 分解能:50nm~5μm |
・発光デバイスの発光強度分布測定 ・混晶結晶の混晶比測定 ・欠陥分布測定 ・バンドギャップ測定 ・励起子測定 |