( D4 ) プローブ:光、分析対象:欠陥(密度、準位)

分析手法 略号 分析原理 得られる情報 分析感度・スペック 適用例
フォトルミネッセンス法
(Photoluminescence Spectroscopy)
PL 光によって励起された電子-正孔対が再結合するときの発光を分析 ・バンドギャップ
・結晶中の元素組成比
・結晶欠陥の種類
・欠陥分布
・再結合中心の準位
深さ:50nm~5μm
分解能:50nm~5μm
・発光デバイスの発光強度分布測定
・混晶結晶の混晶比測定
・欠陥分布測定
・バンドギャップ測定
・励起子測定