[TSC]つくば半導体コンソーシアム

( F8 ) プローブ：イオン・原子、　分析対象：形状

分析手法	略号	分析原理	得られる情報	分析感度・スペック	適用例
集束イオンビーム法 (Focused Ion Beam)	FIB	細く集束したイオンビームを試料表面で走査し、試料をエッチング加工するとともに試料表面の形状を観察	・微細エッチング加工・表面形状観察・結晶粒径評価	加工精度：～10nm 観察分解能(イオンビーム)：～5nm	・透過型電子顕微鏡（TEM）や走査型電子顕微鏡（SEM）などの断面/平面観察試料の作製・アトムプローブの試料作製・マスク修正・金属配線の結晶粒観察