( G5 ) プローブ:電子、分析対象:密度・空孔度
分析手法 | 略号 | 分析原理 | 得られる情報 | 分析感度・スペック | 適用例 |
陽電子消滅法 (Positron Annihilation Spectroscopy) |
PAS | 陽電子が試料の電子と対消滅する際に放出される電磁波(消滅γ線)のエネルギー分布等を計測し、欠陥に関する情報を得る | ・試料中の空隙、空孔欠陥(密度、サイズ、荷電状態) |
空隙径:単一原子空孔~数10nm3 空隙密度:≧1E16 /cm3 検出深さ:表面~数μm |
・シリコン結晶(バルクSi、SOI、歪みSi) ・ゲート誘電体(SiO2、high-k)膜 ・ゲート電極材料(ポリSi) ・配線間層間(Low-k)膜 ・配線材料(Al、Cu) ・フォトレジスト等有機膜 |