( G5 ) プローブ:電子、分析対象:密度・空孔度

分析手法 略号 分析原理 得られる情報 分析感度・スペック 適用例
陽電子消滅法
(Positron Annihilation Spectroscopy)
PAS 陽電子が試料の電子と対消滅する際に放出される電磁波(消滅γ線)のエネルギー分布等を計測し、欠陥に関する情報を得る ・試料中の空隙、空孔欠陥(密度、サイズ、荷電状態) 空隙径:単一原子空孔~数10nm3
空隙密度:≧1E16 /cm3
検出深さ:表面~数μm
・シリコン結晶(バルクSi、SOI、歪みSi)
・ゲート誘電体(SiO2、high-k)膜
・ゲート電極材料(ポリSi)
・配線間層間(Low-k)膜
・配線材料(Al、Cu)
・フォトレジスト等有機膜