[TSC]つくば半導体コンソーシアム

( H10 ) プローブ：メカニカル・プローブ、分析対象：材料物性（電気特性）

分析手法	略号	分析原理	得られる情報	分析感度・スペック	適用例
ナノプローバ (Nano Prober)	NP	半導体デバイスのコンタクトや配線等に直接プローブを接触させ電気特性を評価	・トランジスタの閾値電圧・Ion特性、Ioff特性や配線等の抵抗値など種々の電気特性	電流検出下限10fA プローブ数４本以上測定温度：室温～150℃（測定器、環境により異なる）	・SRAM等メモリ構成トランジスタの特性評価・Logic部の構成トランジスタの特性評価・配線、Via等の抵抗評価・CNT、磁性材料等の抵抗評価