( I4 ) プローブ:その他、分析対象:欠陥(密度、準位)
分析手法 | 略号 | 分析原理 | 得られる情報 | 分析感度・スペック | 適用例 |
エミッシヨン顕微鏡法 (Photo Emission Microscopy) |
PEM | ホットエレクトロン等の高電界で加速されたキャリアがエネルギーを失うときに放射する光を検出 |
・バイアスを印加した半導体デバイス内部におけるホットキャリアの位置 ・酸化膜リーク、ラッチアップなどによる発光箇所の特定 |
測定分解能:~0.7μmφ | ・ホットキャリア、酸化膜リーク、ラッチアップなどの不良位置の特定 |