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[1973] Re:EELS分析とEDS分析 2011-01-05 14:45:42
お名前 : 杉山直之(東レリサーチセンター) [ホームページ] カテゴリー : 【計測分析技術の話題】【計測分析技術
>半導体デバイス断面での分析で、特に高感度での分析となると拡散層の評価になるかと思います。

ご指摘のように将来的な高感度分析はEELSに移行していく流れにあるのではと思います。別の方がご指摘されているように、EELSの方が検出効率が高く、EDXで効率を上げようとするとEDX検出器の立体角を向上させる必要があり、TEMのようにかなり空間が制限される分析装置ではこれが一筋縄ではいかないためです。ただし、FEIの新しいEDXではこの辺りが劇的に改善されていて、また検出器も最新のSDDなどが使われており、EDXも新しいステージに入ったような印象を受けます。
また、EELSはやはりバックグランドが高いため、この除去が問題になります。ですので、定量的な評価という意味ではまだEDXの方が優れている印象です。

EELSは透過電子線を用いているため、EDXに比べビーム径に対する分解能の劣化が小さいです。この辺りも今後の高感度分析に適している要素だと思います。

少し話が横道にそれましたが、ご希望されている拡散層の分析については、現状EDXの長時間マッピングなどで対応している例が多いと思います。AsやSb、Pであれば19乗台以上含まれているのであれば、十分検出可能だと思います。一方で、Bはやはりまだ難しいと思います。Bをお考えであれば、EDX/EELSどちらでも難しいと言わざるを得ません。

また、EDX/EELSの能力向上よりも、半導体デバイスのドーパントの濃度低下(スケーリングが進むことにより、実質的な濃度はさらに低下していると思います)のペースの方が早いような気がします。22nmノードなどになると、多分3次元アトムプローブのようなものでないと検出できない(3DAPでも無理?)のではと思います。
 
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題名 お名前 投稿日付 No. カテゴリー
 EELS分析とEDS分析 TEM初心者 2010-12-05 23:46:09 1965 計測分析技術
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          └ Re:EELS分析とEDS分析 杉山直之(東レリサーチセンター) 2011-01-05 14:45:42 1973  
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